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外媒报道称，44pj.com：存储大厂西部数据（WD）$正在开发自ю家的低延迟闪存，与传统◢ 3D NAND ?相╞比，其╪能够带来更高的性◆能和耐用?性，旨在与英特尔傲腾产?品展开竞争。在本周的⊿ Storag№e Field Da?y 上，西数Δ透露该技术介于 3D? NAND 与 DRAM 之间，类似于◤英特尔傲腾和三星 Z-N╜AND 。其访问延迟在微妙级，使用Θ 1-bit 或 ?2-bit 的?存储单元℡。

作为一款性能向的定制设备，LLF 存储的成本是 DRAM 的 1 / 10 。但是按照当下的?每 GB 价格计算，其成本是 3D┖ NAND 存储的 20 倍。换言之，这项技术只会在数据中心或高端工作站普▋及开来。

西数⌒没有透露其低延迟闪存的所有细节，也无法说明它是否与去年推出的东芝 XL-Flash 低延κ迟3D NAND 或其它特殊类型的闪存的关联有关。

至于实际的 LLF 产品将于何??≌时上市，该公司不愿表态。即便西数的 LL┝F@ 基于 BiCS4 的 3D NAND 存储技术打造，即日起开⊿始生产的难度也不大。

有趣的是，≠尽θ卐管西数的低延迟闪存将与英特尔傲腾和三星 Z-NAND SSD∫〆 展开△竞争，但该公司并未将 LLF 称为“存储级内存”（SCM）。

从长远来看，╠╡西数正在秘密开发基于 ReRAM 的?存储级内存产品，并与惠普携手开发基┛于忆阻器的 SCM 硬件ì。

当然，研发Π往往需要多年。在下一代技Ш术投入使用前，业界还是会??着力于更成熟的 NAND 闪ω存，∈来满足客户对$于容量∩和性能的需求。